Самсунг је најавио да ће започети масовну производњу 512ГБ еУФС 3.0 складишта. Ово би било прво за мобилну индустрију јер сви остали паметни телефони још увек користе еУФС 2.1 меморијске чипове. Нажалост, ови чипови ће се користити у ‘следећој генерацији паметних телефона’ и неће бити присутни у новим уређајима из С10 серије. Међутим, шушка се да би Самсунг могао да дебитује на меморијским чиповима у свом новом Самсунг Галаки Фолд уређају.
Потпредседник продаје и маркетинга меморије у компанији Самсунг Елецтроницс, Цхеол Цхои је то изјавио „Почетак масовне производње наше линије еУФС 3.0 пружа нам велику предност на тржишту мобилне телефоније следеће генерације којем доносимо брзину читања из меморије која је раније била доступна само на ултра танким преносним рачунарима“.
512ГБ еУФС 3.0 ће садржати осам В-НАНД матрице од 512ГБ пете генерације, а такође ће имати и контролер високих перформанси. Очекују се брзине читања до 2.100 МБ / с, што ће бити више него двоструко брже од тренутних еУФС 2.1 чипова. Нови чипови су наводно брзи као недавни ултра танки преносни рачунари у погледу перформанси складиштења. С друге стране, брзине писања наводно ће бити око 410 МБ / с, што би га ставило у исти регион брзине као и САТА ССД. Поред тога, повећане су и улазно-излазне операције у секунди (ИОПС), извршавајући 63.000 ИОПС случајног читања и 68.000 ИОПС случајног писања. Овим брзинама можете да пребаците Фулл ХД филм са паметног телефона на лаптоп за само 3 кратке секунде.
еУФС 3.0
Ово ће без сумње извршити притисак на конкуренте да додају еУФС 3.0 меморијске чипове у будуће телефоне. Стога можемо очекивати да ће више компанија ускоро усвојити стандард.
Ознаке самсунг
